關鍵技術:
高密度、低弧高(40um)福建11选5、窄間距(50um)打線,Spacer技術,倒裝芯片技術(突塊高度70um/80um/100um),芯片堆疊,密間距植球技術(球徑250um,球間距400um)福建11选5。